瑞萨MOSFET提升电源供应输出电流

2008-08-18 11:02:24   作者：未知   来源：EET

关键字：Renesas MOSFET

      瑞萨科技(Renesas)推出Dual-Type功率的MOSFET RJK0383DPA，结合两个不同类型的功率MOSFET组成同步整流DC/DC转换器，并采用低耗损且先进的第十代制程，提供91.6%的电源供应效率，约可提高7%的电源供应效率。相较于瑞萨科技旧款的Dual-Type产品，在电源供应输出电流方面增加约为两倍，且安装尺寸仅有二分之一。
      RJK0383DPA提供设计尺寸更小的电源供应组件以及更高的安装密度，采用瑞萨WPAK高散热封装技术，尺寸为5.1×6.1mm，厚度为0.8mm(max)，符合行动装置的小型化需求。
相较于第九代制程，用于制造RJK0383DPA的第十代制程可达到更低的损耗及更高的效率，导通电阻约降低30%，而与其属于相反特性的闸极电荷容量(gate charge capacitance，Qg)及汲闸负载电容器(drain-gate load，Qgd)亦分别降低27%及30%(均为与具备相同导通电阻之旧款功率MOSFET比较之结果)。
      RJK0383DPA整合了两个不同类型的功率MOSFET，一个是Hight-side的组件，另一个则是Low-side的组件。High-side的功率MOSFET具备1.5 nC的汲闸负载电容器(drain-gate load, Qgd)(当VDD=10V)，可提供高速的切换速度及高效率。Low-side功率MOSFET具备3.7m(typ.:4.5V)较低的导通电阻(RDS(on))，可降低电源的损耗。另外，Low-side功率MOSFET与萧特基二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)整合在同一芯片中，以降低两者之间的线路寄生电感。如此可在DC/DC转换器的停滞时间(dead time)加速电流切换至萧特基二极管的速度，以进一步降低损耗，同时也具有在切换时抑制电压突增(voltage spike)的效果，可降低噪声。
      瑞萨藉由Dual-Type制造方式以提升同步整流DC/DC转换器的电源供应效率，在不增加功率MOSFET数量的情况下大幅提升电源供应输出电流，并开发与大量生产Dual-Type产品(将两个功率MOSFET整合为单一封装)，藉此缩小安装面积。
      瑞萨预计于2008年10月起在日本开始提供RJK0383DPA样品，主要应用在笔记型计算机、绘图卡、服务器、及通讯装置上的同步整流DC/DC转换器。另外也将发展两款具备不同输出电流的衍生产品，分别是RJK0384DPA与RJK0389DPA，预计于10月起开始于日本提供样品。




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